ФИАН разработал материал для перспективной спинтроники и быстрой обработки данных

Российские физики нашли способ создать почти идеальную границу между двумя типами магнитных материалов — ферромагнетиками и антиферромагнетиками. Разработка специалистов ФИАН может помочь в создании нового поколения вычислительных устройств, способных работать быстрее и потреблять меньше энергии.

Спинтронные технологии используют не только электрический заряд электрона, но и его спин. Для их развития перспективны слоистые структуры, объединяющие ферромагнитные и антиферромагнитные материалы. Однако необходимые для таких устройств свойства сложно получить в рамках одного типа вещества.

Ученые предложили использовать двумерный ферромагнитный слой на поверхности слоистого антиферромагнетика. В ходе работы им удалось сформировать практически бездефектную границу с ферромагнитным упорядочением.

Как отметил академик Владимир Пудалов, возглавляющий Центр высокотемпературной сверхпроводимости и квантовых материалов ФИАН, полученный результат расширяет возможности создания стабильных быстродействующих устройств с магнитными свойствами на наноуровне.

В перспективе технология может быть востребована при разработке систем хранения больших массивов данных и устройств для их быстрой обработки.

Ферромагнетики способны сохранять намагниченность после воздействия магнитного поля. В антиферромагнетиках магнитные моменты соседних атомов направлены противоположно, поэтому общий магнитный момент материала близок к нулю.

Результаты исследования опубликованы в научном журнале Physical Review Materials, сообщает "Самара Онлайн 24".